创纪录的晶体管,更便宜、更快的无线通信

时间:2019-11-27 14:36 来源:seo 作者:杏鑫 点击量:

  

创纪录的晶体管,更便宜、更快的无线通信

 

  在设备的类型,是的曾教授的晶体管有创纪录的属性,包括纪录低点栅泄漏电流(衡量当前的损失),纪录高位开/关流动比率(当前传播之间的差异的大小和关闭状态)和创纪录的高电流增益截止频率(显示多少数据可以与广泛传播的频率)。

  工程学教授设计的晶体管可以实现更便宜、更快的无线通信。

  我们所依赖的许多技术,从智能手机到可穿戴设备等等,都利用了快速的无线通信。如果这些设备能更快地传输信息,我们能完成什么呢?

  这就是特拉华大学电子与计算机工程助理教授曾玉平的目标。她和一组研究人员最近发明了一种高电子迁移率晶体管,这是一种放大和控制电流的装置,使用氮化镓(GaN)和氮化铟铝作为硅衬底上的屏障。他们的研究结果发表在《应用物理快报》上。

  在设备的类型,曾庆红的晶体管创纪录的属性,包括纪录低点栅泄漏电流(衡量当前的损失),纪录高位开/关流动比率(当前传播之间的差异的大小和关闭状态)和创纪录的高电流增益截止频率(显示多少数据可以与广泛传播的频率)。

  

创纪录的晶体管,更便宜、更快的无线通信

 

  曾玉平教授(右)和研究生彭翠(右)致力于晶体管的设计,使无线通信更便宜、更快。

  这种晶体管可用于高带宽的无线通信系统。对于给定的电流,它可以处理更多的电压,比其他同类设备需要更少的电池寿命。

  曾说:“我们制造这种高速晶体管是因为我们想扩展无线通信的带宽,这将在一定时间内为我们提供更多信息。”“它也可以用于空间应用,因为我们使用的氮化镓晶体管具有很强的辐射鲁棒性,而且它是宽禁带材料,所以它可以承受很大的功率。”

  这种晶体管代表了材料设计和器件应用设计的创新。这些晶体管是在低成本的硅衬底上制造的,“这个过程也可以与硅互补金属氧化物半导体(CMOS)技术相兼容,这是用于半导体的传统技术,”曾说。

  在最近的论文中所描述的晶体管只是众多发明中的第一个。

  “我们正努力继续打破我们自己的记录,无论是在低功耗应用,还是在高速应用,”曾说。该团队还计划使用他们的晶体管来制造功率放大器,这对无线通信和其他物联网尤其有用。

  

创纪录的晶体管,更便宜、更快的无线通信

 

  丹尼斯·普拉瑟(Dennis Prather)是电气和计算机工程的工程学校友教授,也是《应用物理快报》(Applied Physics Express)那篇论文的作者之一。他说:“随着5G时代的到来,看到曾教授创纪录的晶体管成为这一领域的主要贡献,我们非常激动。”“她的研究享誉世界,欧洲经济学院很幸运地请到了她。

  曾的团队还在研发透明的、可用于背板显示器的氧化钛晶体管,与目前商用的铟镓锌氧化物晶体管(InGaZnO)技术展开竞争。

  丹尼斯·普拉瑟(Dennis Prather)是电气和计算机工程的工程学校友教授,也是《应用物理快报》(Applied Physics Express)那篇论文的作者之一。

  他说:“随着5G时代的到来,看到曾教授创纪录的晶体管成为这一领域的主要贡献,我们非常激动。”“她的研究享誉世界,欧洲经济学院很幸运地请到了她。为此,5G在移动通信和无线网络的几乎每一个方面都引入了一波新技术,以曾教授的杰出研究为先导,特拉华大学欧洲科学系处于领先地位,这确实是一件了不起的事情。”

  特拉华大学的几个小组帮助曾的小组创造了新的记录。该小组在UD纳米制造设备中制造了他们的设备。新发表的《应用物理学快报》论文的第一作者、博士后崔鹏已经通过霍恩创业博士后创新奖学金项目和空军科研办公室获得了资助。

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